采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2734
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610 pF @ 100 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：117 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：506，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6630A
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460 pF @ 15 V
连续漏极电流：6.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：38 毫欧 @ 6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2734
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：45 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610 pF @ 100 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：117 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2734
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610 pF @ 100 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：117 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2734
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：45 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610 pF @ 100 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：117 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2734
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610 pF @ 100 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：117 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2734
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：45 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610 pF @ 100 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：117 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1575，"21+"：741，"22+"：3191}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6570A
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：1.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700 pF @ 10 V
连续漏极电流：15A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：7.5 毫欧 @ 15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2734
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610 pF @ 100 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：117 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2734
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：45 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610 pF @ 100 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：117 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2734
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610 pF @ 100 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：117 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2734
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：45 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610 pF @ 100 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：117 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2734
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610 pF @ 100 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：117 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8842NZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845 pF @ 15 V
连续漏极电流：14.9A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：7 毫欧 @ 14.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8842NZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：73 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845 pF @ 15 V
连续漏极电流：14.9A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：7 毫欧 @ 14.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2734
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610 pF @ 100 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：117 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8842NZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：73 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845 pF @ 15 V
连续漏极电流：14.9A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：7 毫欧 @ 14.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2734
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610 pF @ 100 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：117 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
