采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：6pF@5V
功率：400mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：1.8V@100µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：78000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR01P02LT1G
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000TA
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：6pF@5V
功率：400mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：1.8V@100µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：6pF@5V
功率：400mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：600mV@100µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4502PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：1.13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4502PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：1.13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：400mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：400mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4502PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：1.13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000BU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4502PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：1.13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000TA
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：6pF@5V
功率：400mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：600mV@100µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02LT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@5V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@1.2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：400mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：6pF@5V
功率：400mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：600mV@100µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：400mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：400mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：8，"22+"：34970}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000BU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：400mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：6pF@5V
功率：400mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：600mV@100µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
