采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD1155LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD1155LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTJD1155LT1G
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功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
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连续漏极电流：1.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
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功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
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连续漏极电流：1.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
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功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：1.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
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功率：400mW
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生产批次：{"23+"：67862}
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类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
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类型：N和P沟道
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连续漏极电流：1.3A
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导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：8V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：400mW
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
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ECCN：EAR99
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行业应用：工业,汽车
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功率：400mW
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD1155LT1G
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：1.3A
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