品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8441
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000 pF @ 25 V
连续漏极电流:28A(Ta),120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.5 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8441
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000 pF @ 25 V
连续漏极电流:28A(Ta),120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.5 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8441
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000 pF @ 25 V
连续漏极电流:28A(Ta),120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.5 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8441
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000 pF @ 25 V
连续漏极电流:28A(Ta),120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.5 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:150 nC @ 10 V
输入电容:10000 pF @ 40 V
连续漏极电流:110A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:150 nC @ 10 V
输入电容:10000 pF @ 40 V
连续漏极电流:110A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:150 nC @ 10 V
输入电容:10000 pF @ 40 V
连续漏极电流:110A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:150 nC @ 10 V
输入电容:10000 pF @ 40 V
连续漏极电流:110A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:150 nC @ 10 V
输入电容:10000 pF @ 40 V
连续漏极电流:110A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:150 nC @ 10 V
输入电容:10000 pF @ 40 V
连续漏极电流:110A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
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销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:150 nC @ 10 V
输入电容:10000 pF @ 40 V
连续漏极电流:110A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:10000 pF @ 40 V
栅极电荷:150 nC @ 10 V
功率:300W(Tc)
连续漏极电流:110A(Tc)
漏源电压:80V
阈值电压:4V @ 250µA
导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
类型:N 通道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:10000 pF @ 40 V
栅极电荷:150 nC @ 10 V
功率:300W(Tc)
连续漏极电流:110A(Tc)
漏源电压:80V
阈值电压:4V @ 250µA
导通电阻:2.4 毫欧 @ 80A,10V
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
类型:N 通道
包装清单:商品主体 * 1
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