品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3378}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3378}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3378}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
栅极电荷:170 nC @ 10 V
输入电容:11110 pF @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8460
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7205 pF @ 20 V
连续漏极电流:25A(Ta),49A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.2 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86163P
类型:P 通道
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:22 毫欧 @ 7.9A,10V
输入电容:4085 pF @ 50 V
连续漏极电流:7.9A(Ta),50A(Tc)
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
栅极电荷:59 nC @ 10 V
阈值电压:4V @ 250µA
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: