品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS6D0N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:3.6V@379μA
栅极电荷:58nC@10V
输入电容:4.815nF@75V
连续漏极电流:135A
类型:1个N沟道
反向传输电容:9.7pF@75V
导通电阻:4.6mΩ@10V,69A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP023N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:245W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13765pF@37.5V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.35mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS6D0N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:3.6V@379μA
栅极电荷:58nC@10V
输入电容:4.815nF@75V
连续漏极电流:135A
类型:1个N沟道
反向传输电容:9.7pF@75V
导通电阻:4.6mΩ@10V,69A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS6D0N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:3.6V@379μA
栅极电荷:58nC@10V
输入电容:4.815nF@75V
连续漏极电流:135A
类型:1个N沟道
反向传输电容:9.7pF@75V
导通电阻:4.6mΩ@10V,69A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS6D0N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:3.6V@379μA
栅极电荷:58nC@10V
输入电容:4.815nF@75V
连续漏极电流:135A
类型:1个N沟道
反向传输电容:9.7pF@75V
导通电阻:4.6mΩ@10V,69A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS6D0N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:3.6V@379μA
栅极电荷:58nC@10V
输入电容:4.815nF@75V
连续漏极电流:135A
类型:1个N沟道
反向传输电容:9.7pF@75V
导通电阻:4.6mΩ@10V,69A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB050AN06A0
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:18A€80A
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
输入电容:3.9nF@25V
导通电阻:5mΩ@10V,80A
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS6D0N15MC
类型:1个N沟道
连续漏极电流:135A
漏源电压:150V
反向传输电容:9.7pF@75V
导通电阻:4.6mΩ@10V,69A
功率:245W
栅极电荷:58nC@10V
输入电容:4.815nF@75V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:3.6V@379μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP050AN06A0
栅极电荷:80nC@10V
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:18A€80A
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
输入电容:3.9nF@25V
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:5mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS6D0N15MC
类型:1个N沟道
连续漏极电流:135A
漏源电压:150V
反向传输电容:9.7pF@75V
导通电阻:4.6mΩ@10V,69A
功率:245W
栅极电荷:58nC@10V
输入电容:4.815nF@75V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:3.6V@379μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS6D0N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:3.6V@379μA
栅极电荷:58nC@10V
输入电容:4.815nF@75V
连续漏极电流:135A
类型:1个N沟道
反向传输电容:9.7pF@75V
导通电阻:4.6mΩ@10V,69A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: