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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
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功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
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输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
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功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
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功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
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功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
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功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
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输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
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连续漏极电流：1.2A
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导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
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功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
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连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
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功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
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输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
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连续漏极电流：1.2A
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连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
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输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
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输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
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功率：290mW
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栅极电荷：6.4nC@5V
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类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
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功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
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输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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