采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2406，"22+"：47354，"23+"：36150，"24+"：6000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D8N02P1ET1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：139W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：365A
类型：MOSFET
导通电阻：680μΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D8N02P1ET1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：139W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：365A
类型：MOSFET
导通电阻：680μΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2406，"22+"：47354，"23+"：36150，"24+"：6000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP19N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@9.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2406，"22+"：47354，"23+"：36150，"24+"：6000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2406，"22+"：47354，"23+"：36150，"24+"：6000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2406，"22+"：47354，"23+"：36150，"24+"：6000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP19N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@9.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP19N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@9.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D8N02P1ET1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：139W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：365A
类型：MOSFET
导通电阻：680μΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D8N02P1ET1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：139W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：365A
类型：MOSFET
导通电阻：680μΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D8N02P1ET1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：139W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：365A
类型：MOSFET
导通电阻：680μΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
连续漏极电流：17A
包装方式：卷带（TR）
功率：139W
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：33nC@10V
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
类型：N沟道
输入电容：1350pF@400V
阈值电压：4.5V@1.8mA
漏源电压：650V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
连续漏极电流：17A
包装方式：卷带（TR）
功率：139W
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：33nC@10V
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
类型：N沟道
输入电容：1350pF@400V
阈值电压：4.5V@1.8mA
漏源电压：650V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D8N02P1ET1G
功率：139W
包装方式：Reel
连续漏极电流：365A
漏源电压：25V
阈值电压：2V
导通电阻：680μΩ
栅极电荷：52nC
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP19N20C
输入电容：1080pF@25V
功率：139W
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：19A
栅极电荷：53nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@9.5A，10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D8N02P1ET1G
功率：139W
包装方式：Reel
连续漏极电流：365A
漏源电压：25V
阈值电压：2V
导通电阻：680μΩ
栅极电荷：52nC
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
