销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:360mW(Ta)
阈值电压:2V @ 1mA
栅极电荷:2.5 nC @ 10 V
输入电容:21.5 pF @ 25 V
连续漏极电流:170mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:6 欧姆 @ 170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:360mW(Ta)
阈值电压:2V @ 1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5 pF @ 25 V
连续漏极电流:170mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:6 欧姆 @ 170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:360mW(Ta)
阈值电压:1.5V @ 1mA
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
输入电容:27 pF @ 25 V
连续漏极电流:220mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:3.5 欧姆 @ 220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1786,"22+":467804,"MI+":17895}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84-H
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:360mW(Ta)
阈值电压:2V @ 1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73 pF @ 25 V
连续漏极电流:130mA(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:10 欧姆 @ 100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: