品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":45500,"13+":33100}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF03N60ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF360N65S3R0L-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:27W
阈值电压:4.5V@200μA
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@10V,5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF03N60ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":623}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3N50NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":50,"16+":3500,"MI+":972}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF03N60ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1950}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3N50NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3N50NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
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输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1950}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3N50NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":45500,"13+":33100}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF03N60ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF360N65S3R0L
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF360N65S3R0L-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:27W
阈值电压:4.5V@200μA
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@10V,5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF360N65S3R0L
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
输入电容:700pF@25V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
功率:27W
连续漏极电流:38A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"13+":50,"16+":3500,"MI+":972}
规格型号(MPN):NDF03N60ZG
栅极电荷:18nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.1A
阈值电压:4.5V@50µA
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
输入电容:372pF@25V
包装方式:管件
功率:27W
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF360N65S3R0L-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:27W
阈值电压:4.5V@200μA
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@10V,5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF360N65S3R0L-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:27W
阈值电压:4.5V@200μA
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@10V,5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":550}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF360N65S3R0L
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: