采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2292，"18+"：32950，"19+"：2}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVC6S5A354PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8097AC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V€230pF@75V
连续漏极电流：2.4A€900mA
类型：N和P沟道
导通电阻：155mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8032L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：33686}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA7628
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8032L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8032L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8032L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA7628
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8032L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8097AC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V€230pF@75V
连续漏极电流：2.4A€900mA
类型：N和P沟道
导通电阻：155mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8097AC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V€230pF@75V
连续漏极电流：2.4A€900mA
类型：N和P沟道
导通电阻：155mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
