品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD900N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":800}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7N65CYDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1245pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU900N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":3676,"18+":9557,"20+":12408,"9999":40,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7N65C
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1245pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":3676,"18+":9557,"20+":12408,"9999":40,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7N65C
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1245pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6685
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1715pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU900N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":747,"23+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":107400,"21+":1065,"22+":863,"9999":1367}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU900N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD1300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4.5V@400µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD900N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":747,"23+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD1300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4.5V@400µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6685
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1715pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1826,"23+":14095}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6685
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1715pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6685
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1715pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD900N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7N65CYDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1245pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU900N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: