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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V€68@100mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：285mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V / 68 @ 100mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：13千欧，130欧姆
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：285mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V / 68 @ 100mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：13千欧，130欧姆
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：285mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V€68@100mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：285mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V€68@100mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：285mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V / 68 @ 100mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：13千欧，130欧姆
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：285mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V€68@100mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：285mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V / 68 @ 100mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：13千欧，130欧姆
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V / 68 @ 100mA，5V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：285mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V / 68 @ 100mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：285mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
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生产批次：{"22+"：11945}
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V€68@100mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：285mW
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V€68@100mA，5V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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电阻比：10千欧
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V€68@100mA，5V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V€68@100mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V / 68 @ 100mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：285mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V€68@100mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：285mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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生产批次：{"22+"：11945}
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V€68@100mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：285mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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分类：数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V / 68 @ 100mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：13千欧，130欧姆
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：285mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V / 68 @ 100mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：13千欧，130欧姆
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：285mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V€68@100mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：285mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V / 68 @ 100mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：285mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极电流(Ic)：500mA
功率：285mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V€68@100mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V / 68 @ 100mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：13千欧，130欧姆
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：285mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：13千欧，130欧姆
功率：285mW
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
电阻比：10千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA
包装方式：卷带（TR）
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：13千欧，130欧姆
功率：285mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
电阻比：10千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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分类：数字晶体管
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集电极电流(Ic)：500mA
功率：285mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V€68@100mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V€68@100mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：285mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V€68@100mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：285mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V / 68 @ 100mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：13千欧，130欧姆
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：285mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
