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    品牌: ON SEMI
    功率: 75W
    当前匹配商品:200+
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    onsemi Mosfet场效应管 BUZ11-NR4941 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 BUZ11-NR4941 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUZ11-NR4941

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@1mA

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB390N15A 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB390N15A 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB390N15A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1285pF@75V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:39mΩ@27A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9510L-F085 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9510L-F085 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9510L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2020pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86380-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD25P03LT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@25A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BUZ11-NR4941 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 BUZ11-NR4941 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUZ11-NR4941

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@1mA

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N03-001 起订916个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N03-001 起订916个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":140,"04+":29100}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD60N03-001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2150pF@24V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86580-F085 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86580-F085 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86580-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4.2V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@30V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BUZ11-NR4941 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 BUZ11-NR4941 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUZ11-NR4941

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@1mA

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD26AN06A0-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD26AN06A0-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1678}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD26AN06A0-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:7A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@36A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD80N02-001 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD80N02-001 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":526735}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD80N02-001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@20V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 2N6043G 起订1000个装
    onsemi 达林顿管 2N6043G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"07+":35,"08+":1025,"15+":1,"23+":2400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N6043G

    集射极击穿电压(Vceo):60V

    集电极电流(Ic):8A

    功率:75W

    集电集截止电流(Icbo):20µA

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@16mA,4A

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD25P03LT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@25A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86380-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86380-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3698}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86380-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB390N15A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB390N15A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB390N15A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1285pF@75V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:39mΩ@27A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 2N6045G 起订15个装
    onsemi 达林顿管 2N6045G 起订15个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N6045G

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):8A

    功率:75W

    集电集截止电流(Icbo):20µA

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A

    包装方式:管件

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@3A,4V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB390N15A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB390N15A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB390N15A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1285pF@75V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:39mΩ@27A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订1250个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订1250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD25P03LT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@25A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 2N6045G 起订25个装
    onsemi 达林顿管 2N6045G 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N6045G

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):8A

    功率:75W

    集电集截止电流(Icbo):20µA

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A

    包装方式:管件

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@3A,4V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 2N6043G 起订500个装
    onsemi 达林顿管 2N6043G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N6043G

    集射极击穿电压(Vceo):60V

    集电极电流(Ic):8A

    功率:75W

    集电集截止电流(Icbo):20µA

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@16mA,4A

    包装方式:管件

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD25P03LT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@25A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCU850N80Z 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCU850N80Z 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5546,"MI+":2349}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCU850N80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:4.5V@600µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1315pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD25P03LT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@25A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD850N80Z 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD850N80Z 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD850N80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:4.5V@600µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1315pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 2N6043G 起订10个装
    onsemi 达林顿管 2N6043G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N6043G

    集射极击穿电压(Vceo):60V

    集电极电流(Ic):8A

    功率:75W

    集电集截止电流(Icbo):20µA

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@16mA,4A

    包装方式:管件

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BUZ11-NR4941 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 BUZ11-NR4941 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUZ11-NR4941

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD25P03LT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@25A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD25P03LT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@25A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订625个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订625个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD25P03LT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@25A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N03-001 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N03-001 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":140,"04+":29100}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD60N03-001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2150pF@24V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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