采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L104T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L104T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L104T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L104T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L104T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L104T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L104T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L104T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L104T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L104T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L104T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L104T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L104T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L104T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L104T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L104T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：2591}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD15N06LT4G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
