采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2497，"14+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N80ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.3nC@10V
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连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.3nC@10V
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连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2497，"14+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N80ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
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功率：96W
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.3nC@10V
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连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N80ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N80ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
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类型：N沟道
栅极电荷：25.3nC@10V
连续漏极电流：13A
功率：96W
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ECCN：EAR99
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.3nC@10V
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输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N80ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2497，"14+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N80ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N80ZT4G
输入电容：440pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2.9A
阈值电压：4.5V@50µA
功率：96W
漏源电压：800V
导通电阻：4.5Ω@1.2A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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