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    品牌
    功率
    96W
    行业应用
    连续漏极电流
    包装方式
    品牌: ON SEMI
    功率: 96W
    行业应用: 汽车
    连续漏极电流: 2.9A
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    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N80Z-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N80Z-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":27054,"13+":40000,"15+":74150,"9999":750}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD03N80Z-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@1.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N80Z-1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N80Z-1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":27054,"13+":40000,"15+":74150,"9999":750}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD03N80Z-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@1.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N80ZT4G 起订844个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N80ZT4G 起订844个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":2497,"14+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD03N80ZT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@1.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N80Z-1G 起订355个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N80Z-1G 起订355个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":27054,"13+":40000,"15+":74150,"9999":750}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD03N80Z-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@1.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N80ZT4G 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":2497,"14+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD03N80ZT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@1.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N80ZT4G 起订844个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD03N80ZT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@1.2A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N80ZT4G 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD03N80ZT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@1.2A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N80ZT4G 起订5000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

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    规格型号(MPN):NDD03N80ZT4G

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    功率:96W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

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    导通电阻:4.5Ω@1.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N80ZT4G 起订5000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":2497,"14+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD03N80ZT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.5V@50µA

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    栅极电荷:17nC@10V

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    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@1.2A,10V

    漏源电压:800V

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    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N80ZT4G 起订5000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):NDD03N80ZT4G

    输入电容:440pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

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    阈值电压:4.5V@50µA

    功率:96W

    漏源电压:800V

    导通电阻:4.5Ω@1.2A,10V

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