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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2235
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2235
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：38nC@10V
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连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
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漏源电压：30V
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输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
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功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
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功率：1.56W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
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栅极电荷：38nC@10V
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输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：38nC@10V
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输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
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连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
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输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
生产批次：2235
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工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
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功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：38nC@10V
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输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
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功率：1.56W
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
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功率：1.56W
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：1.56W
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
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