采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5875NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：33mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5852NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5852NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5852NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5875NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：33mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5852NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5875NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：33mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5852NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C02NWFTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：20nC
连续漏极电流：162A
类型：MOSFET
导通电阻：2.25mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C02NWFTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：20nC
连续漏极电流：162A
类型：MOSFET
导通电阻：2.25mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C02NWFTAG
阈值电压：2.2V
连续漏极电流：162A
栅极电荷：20nC
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.2W
导通电阻：2.25mΩ
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5875NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：33mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C02NWFTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：20nC
连续漏极电流：162A
类型：MOSFET
导通电阻：2.25mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5875NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：33mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C02NWFTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：20nC
连续漏极电流：162A
类型：MOSFET
导通电阻：2.25mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"24+"：1500}
规格型号(MPN)：NVMFD5875NLT1G
导通电阻：33mΩ@7.5A，10V
包装方式：卷带（TR）
功率：3.2W
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：540pF@25V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
