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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C478NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
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连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
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类型：N沟道
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栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@25V
连续漏极电流：14A€43A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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功率：3W€30W
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栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@25V
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