品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.36nF@15V
连续漏极电流:6.9A
类型:2个P沟道
导通电阻:22mΩ@10V,6.9A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:540pF@15V
连续漏极电流:6.4A€4.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:26mΩ@6.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.36nF@15V
连续漏极电流:6.9A
类型:2个P沟道
导通电阻:22mΩ@10V,6.9A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:1.36nF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:2个P沟道
栅极电荷:40nC@10V
功率:900mW
连续漏极电流:6.9A
导通电阻:22mΩ@10V,6.9A
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.8nC@5V
输入电容:412pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:21nC@5V
输入电容:1.233nF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.8nC@5V
输入电容:412pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:21nC@5V
输入电容:1.233nF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.8nC@5V
输入电容:412pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.8nC@5V
输入电容:412pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.8nC@5V
输入电容:412pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:21nC@5V
输入电容:1.233nF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.8nC@5V
输入电容:412pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:3.8nC@5V
输入电容:412pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:3.8nC@5V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:412pF@15V
导通电阻:38mΩ@10V,5.5A
功率:900mW
连续漏极电流:5.5A
阈值电压:3V@250μA
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: