采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6930B
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6930B
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6930B
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：900mW
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：7nC @ 5V
输入电容：460pF @ 15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：40 毫欧 @ 5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：7nC @ 5V
输入电容：460pF @ 15V
漏源电压：30V
类型：2 N-通道（双）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：900mW
连续漏极电流：5.5A
导通电阻：40 毫欧 @ 5.5A，10V
阈值电压：3V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6930B
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：38mΩ@5.5A，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：412pF@15V
类型：2N沟道（双）
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
连续漏极电流：5.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6930A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6930A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6930B
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6930B
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6930B
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：3.8nC@5V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：412pF@15V
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
功率：900mW
连续漏极电流：5.5A
阈值电压：3V@250μA
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
