采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：155mΩ@10V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.36nF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道
导通电阻：22mΩ@10V，6.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：155mΩ@10V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：540pF@15V
连续漏极电流：6.4A€4.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：26mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.36nF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道
导通电阻：22mΩ@10V，6.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：1.36nF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：2个P沟道
栅极电荷：40nC@10V
功率：900mW
连续漏极电流：6.9A
导通电阻：22mΩ@10V，6.9A
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：155mΩ@10V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：155mΩ@10V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：650pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：155mΩ@10V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9933A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：650pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：31nC@5V
输入电容：2.25nF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9933A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9933A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：155mΩ@10V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9933A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9933A
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：75mΩ@3.8A，4.5V
功率：900mW
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.8A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：2个P沟道
漏源电压：20V
栅极电荷：10nC@4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：3.8nC@5V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：412pF@15V
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
功率：900mW
连续漏极电流：5.5A
阈值电压：3V@250μA
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9933A
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：75mΩ@3.8A，4.5V
功率：900mW
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.8A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：2个P沟道
漏源电压：20V
栅极电荷：10nC@4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：155mΩ@10V，1A
栅极电荷：2.8nC@4.5V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：182pF@25V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：1.7A
漏源电压：60V
功率：900mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
