采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4409NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002WT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVS4409NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4409NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4409NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2V7002WT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002WT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4409NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVS4409NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002WT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4409NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4409NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002W
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4409NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002W
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002WT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4409NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002WT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVS4409NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2V7002WT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVS4409NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002WT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002WT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2V7002WT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVS4409NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4409NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2V7002WT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
