采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7280pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT064N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3745pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT064N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3745pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT064N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3745pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT064N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3745pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT080N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：4.5V@880μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：2.765nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT064N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3745pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT064N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3745pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT064N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3745pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7280pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7280pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
