品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI045N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5270pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI045N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5270pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP045N10A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.27nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10V,100A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP045N10A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.27nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10V,100A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP045N10A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.27nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10V,100A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":222}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI045N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5270pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI045N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5270pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP032N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10965pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP032N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10965pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP045N10A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.27nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10V,100A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP045N10A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.27nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10V,100A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI045N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5270pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP032N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10965pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP032N08B-F102
阈值电压:4.5V@250µA
输入电容:10965pF@40V
功率:263W
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:144nC@10V
导通电阻:3.3mΩ@100A,10V
包装方式:管件
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP045N10A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.27nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10V,100A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP032N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10965pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI045N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5270pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP045N10A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.27nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10V,100A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP045N10A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.27nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10V,100A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI045N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5270pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI045N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5270pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":222}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":222}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: