采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4790}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：58，"23+"：2500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA70N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：58，"23+"：2500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：58，"23+"：2500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP039N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9450pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：450，"22+"：460，"MI+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA90N08
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3250pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@45A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4790}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：58，"23+"：2500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4790}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
