品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB190N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB190N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
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连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
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类型:N沟道
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漏源电压:650V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":458}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
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类型:N沟道
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漏源电压:650V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTB190N65S3HF
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功率:162W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
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类型:N沟道
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漏源电压:650V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
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类型:N沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT190N65S3HF
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功率:162W
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB190N65S3F
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功率:162W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
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类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1610pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP650N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:4.5V@800µA
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包装方式:管件
输入电容:1565pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP650N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:4.5V@800µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1565pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
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连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1610pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
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类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
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连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
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连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":458}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP190N65S3HF
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功率:162W
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL190N65S3HF
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功率:162W
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类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
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栅极电荷:34nC@10V
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连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB190N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
栅极电荷:34nC@10V
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连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB190N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
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连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB190N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1350}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1610pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: