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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11278，"MI+"：15120}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N50BTU-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：3.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：5.3Ω@800mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2410}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N15TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N15TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N15TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2370，"21+"：6804}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD4N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2370，"21+"：6804}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD4N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11278，"MI+"：15120}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N50BTU-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：3.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：5.3Ω@800mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11278，"MI+"：15120}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N50BTU-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：3.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：5.3Ω@800mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N15TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11278，"MI+"：15120}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N50BTU-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：3.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：5.3Ω@800mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N50BTU-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：5.3Ω@800mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD4N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N15TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD4N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N15TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N15TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N15TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
