采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8447L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：52 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620 pF @ 20 V
连续漏极电流：15A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.5 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDB8447L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：52 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620 pF @ 20 V
连续漏极电流：15A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.5 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2400，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8447L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620 pF @ 20 V
连续漏极电流：15A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.5 毫欧 @ 14A，10V
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生产批次：{"19+"：2400，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
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规格型号(MPN)：FDB8447L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620 pF @ 20 V
连续漏极电流：15A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.5 毫欧 @ 14A，10V
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规格型号(MPN)：FDB8447L
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功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：52 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620 pF @ 20 V
连续漏极电流：15A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
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功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：52 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620 pF @ 20 V
连续漏极电流：15A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
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生产批次：{"19+"：2400，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620 pF @ 20 V
连续漏极电流：15A（Ta），50A（Tc）
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栅极电荷：52 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620 pF @ 20 V
连续漏极电流：15A（Ta），50A（Tc）
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620 pF @ 20 V
连续漏极电流：15A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
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栅极电荷：52 nC @ 10 V
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输入电容：2620 pF @ 20 V
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功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
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栅极电荷：52 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620 pF @ 20 V
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类型：N 通道
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功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
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栅极电荷：52 nC @ 10 V
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输入电容：2620 pF @ 20 V
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功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
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栅极电荷：52 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N 通道
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：52 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620 pF @ 20 V
连续漏极电流：15A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.5 毫欧 @ 14A，10V
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栅极电荷：52 nC @ 10 V
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
导通电阻：8.5 毫欧 @ 14A，10V
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阈值电压：3V @ 250µA
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功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
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功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：52 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620 pF @ 20 V
连续漏极电流：15A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.5 毫欧 @ 14A，10V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8447L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
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ECCN：EAR99
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包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8447L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：52 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620 pF @ 20 V
连续漏极电流：15A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
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