销售单位：个

规格型号(MPN)：NVTFS5C478NLWFTAG

工作温度：-55℃~175℃

功率：20W

阈值电压：2.2V@20µA

栅极电荷：3.8nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：400pF@25V

连续漏极电流：26A

类型：N沟道

导通电阻：14mΩ@5A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVTFS5C478NLTAG

工作温度：-55℃~175℃

功率：20W

阈值电压：2.2V@20µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：8nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：400pF@25V

连续漏极电流：26A

类型：N沟道

导通电阻：14mΩ@5A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4G

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特征频率：25MHz

工作温度：65℃~150℃

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ECCN：EAR99

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4G

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD127T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD127T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

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工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD112T4G

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

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特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

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包装方式：管件

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD127T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

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工作温度：65℃~150℃

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ECCN：EAR99

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晶体管类型：PNP

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规格型号(MPN)：MJD112T4G

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4G

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122G

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规格型号(MPN)：MJD112T4G

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NVTFS5C478NLTAG

工作温度：-55℃~175℃

功率：20W

阈值电压：2.2V@20µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：8nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：400pF@25V

连续漏极电流：26A

类型：N沟道

导通电阻：14mΩ@5A，10V

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NVTFS5C478NLWFTAG

工作温度：-55℃~175℃

功率：20W

阈值电压：2.2V@20µA

栅极电荷：3.8nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：400pF@25V

连续漏极电流：26A

类型：N沟道

导通电阻：14mΩ@5A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

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规格型号(MPN)：MJD122G

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包装方式：管件

晶体管类型：NPN

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规格型号(MPN)：NJVMJD127T4G

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功率：20W

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工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

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包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NVTFS5C478NLWFTAG

工作温度：-55℃~175℃

功率：20W

阈值电压：2.2V@20µA

栅极电荷：3.8nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：400pF@25V

连续漏极电流：26A

类型：N沟道

导通电阻：14mΩ@5A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

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特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

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规格型号(MPN)：MJD122G

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特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

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包装方式：管件

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122G

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包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

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规格型号(MPN)：NJVMJD112T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

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晶体管类型：NPN

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