采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：15A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD9D0N06HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：948pF@30V
连续漏极电流：9A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2935，"23+"：5115，"24+"：5577}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD9D0N06HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：948pF@30V
连续漏极电流：9A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2935，"23+"：5115，"24+"：5577}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD9D0N06HLTWG
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功率：1.7W€26W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：9A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD9D0N06HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：9A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2.5V@44µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2935，"23+"：5115，"24+"：5577}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD9D0N06HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：948pF@30V
连续漏极电流：9A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1601，"24+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2.5V@44µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1601，"24+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD9D0N06HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：948pF@30V
连续漏极电流：9A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1630，"23+"：350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：15A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：15A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1630，"23+"：350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：15A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1601，"24+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2.5V@44µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：15A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2.5V@44µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：15A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：15A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：15A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2.5V@44µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：15A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2.5V@44µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2.5V@44µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD9D0N06HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：948pF@30V
连续漏极电流：9A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2.5V@44µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2935，"23+"：5115，"24+"：5577}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD9D0N06HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：948pF@30V
连续漏极电流：9A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：15A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD9D0N06HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：948pF@30V
连续漏极电流：9A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：15A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD9D0N06HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：948pF@30V
连续漏极电流：9A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
