品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":7050,"9999":284}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF04N62ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF2N70
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:6.3Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C468NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD024N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:28W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:22.6mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF04N62ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C468NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60ZL1-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60ZL1-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C468NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60ZL1-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":7050,"9999":284}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF04N62ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60ZL1-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C468NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60ZL1-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C468NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD024N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:28W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:22.6mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD024N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:28W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:22.6mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF4N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD024N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:28W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:22.6mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF04N62ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60ZL1-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NDF04N62ZG
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:620V
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:19nC@10V
导通电阻:2Ω@2A,10V
功率:28W
输入电容:535pF@25V
包装方式:管件
连续漏极电流:4.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60ZL1-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF5N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@2.25A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60ZL1-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF5N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@2.25A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60ZL1-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF5N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@2.25A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60ZL1-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C470NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:28W
阈值电压:2.2V@20μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:2个N沟道
反向传输电容:8pF@25V
导通电阻:9.2mΩ@10V,5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: