采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2475，"15+"：6750，"9999"：1541}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD01N60-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@35µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF067N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF067N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NWFTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：21.1mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NWFTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：21.1mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NWFTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：21.1mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@35µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@35µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF067N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@35µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2475，"15+"：6750，"9999"：1541}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD01N60-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF067N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF067N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF067N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF067N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF067N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NWFTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：21.1mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NWFTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：21.1mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
