采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2500，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：59nC@10V
输入电容：4.125nF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@10V，44A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：59nC@10V
输入电容：4.125nF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@10V，44A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MTB50P03HDLT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5708，"MI+"：2585}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：1880，"05+"：1950，"MI+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP75N03-006
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@5V
包装方式：管件
输入电容：5635pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@37.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：1880，"05+"：1950，"MI+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP75N03-006
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@5V
包装方式：管件
输入电容：5635pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@37.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：59nC@10V
输入电容：4.125nF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@10V，44A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
