品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3662
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@50V
连续漏极电流:8.9A€49A
类型:N沟道
导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8460
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7205pF@20V
连续漏极电流:25A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS5352
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:131nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6940pF@30V
连续漏极电流:13.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@13.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS039N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7600pF@40V
连续漏极电流:19.4A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86263P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3905pF@75V
连续漏极电流:4.4A€22A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2715pF@75V
连续漏极电流:9.6A€35A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@9.6A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS5352
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:131nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6940pF@30V
连续漏极电流:13.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@13.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86201
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2735pF@60V
连续漏极电流:11.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86163P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4085pF@50V
连续漏极电流:7.9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@7.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2715pF@75V
连续漏极电流:9.6A€35A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@9.6A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86201
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2735pF@60V
连续漏极电流:11.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86201
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2735pF@60V
连续漏极电流:11.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86163P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4085pF@50V
连续漏极电流:7.9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@7.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86263P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3905pF@75V
连续漏极电流:4.4A€22A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8460
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7205pF@20V
连续漏极电流:25A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":8807}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4120pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86163P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4085pF@50V
连续漏极电流:7.9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@7.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS039N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7600pF@40V
连续漏极电流:19.4A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86163P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4085pF@50V
连续漏极电流:7.9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@7.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86263P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3905pF@75V
连续漏极电流:4.4A€22A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8460
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7205pF@20V
连续漏极电流:25A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS039N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7600pF@40V
连续漏极电流:19.4A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS039N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7600pF@40V
连续漏极电流:19.4A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86300
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7082pF@40V
连续漏极电流:19A€80A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86263P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3905pF@75V
连续漏极电流:4.4A€22A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86263P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3905pF@75V
连续漏极电流:4.4A€22A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: