品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY300NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY100PZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BC516-D27Z
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:200MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):30000@20mA,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS270-D74Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY102PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MPSA29
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1.2A
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
包装方式:剪切带(CT)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):30000@20mA,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MPSA29
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MPSA29-D26Z
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:剪切带(CT)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BC516-D27Z
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:200MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):30000@20mA,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MPSA29-D26Z
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY102PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MPSA29-D26Z
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY100PZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY100PZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY100PZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MPSA29
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MPSA29
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS270-D74Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:剪切带(CT)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:剪切带(CT)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS270
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS270
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: