采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：15+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@15V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：1.28mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT451AN
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：198309，"23+"：8000，"24+"：8000，"MI+"：16000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT451AN
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@15V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：1.28mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT451AN
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@15V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：1.28mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT451AN
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：15+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT451AN
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT451AN
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
