品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:[]
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:6.3Ω@1.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"02+":1900,"MI+":980}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP90N02
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2120pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@90A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":179200,"06+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB90N02T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2120pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@90A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":179200,"06+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB90N02T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2120pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@90A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:6.3Ω@1.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP90N02
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2120pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@90A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":3145,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP90N02G
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2120pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@90A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":195,"10+":5600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB90N02T4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2120pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@90A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":195,"10+":5600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB90N02T4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2120pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@90A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB90N02T4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2120pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@90A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":195,"10+":5600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB90N02T4G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
输入电容:2120pF@20V
漏源电压:24V
栅极电荷:29nC@4.5V
导通电阻:5.8mΩ@90A,10V
功率:85W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"05+":3145,"MI+":1500}
规格型号(MPN):NTP90N02G
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
输入电容:2120pF@20V
漏源电压:24V
栅极电荷:29nC@4.5V
导通电阻:5.8mΩ@90A,10V
包装方式:管件
功率:85W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB90N02T4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2120pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@90A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW47G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):15A
功率:85W
集电集截止电流(Icbo):2mA
特征频率:4MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@50mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"22+":3363}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW47G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):15A
功率:85W
集电集截止电流(Icbo):2mA
特征频率:4MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@50mA,10A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP90N02
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2120pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@90A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:6.3Ω@1.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":3145,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP90N02G
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2120pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@90A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":195,"10+":5600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB90N02T4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2120pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@90A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"02+":1900,"MI+":980}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP90N02
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2120pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@90A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB90N02T4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2120pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@90A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存: