采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP5800
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9160pF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP5800
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9160pF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP5800
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9160pF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP5800
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9160pF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP5800
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9160pF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP5800
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9160pF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP5800
功率：242W
导通电阻：6mΩ@80A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：145nC@10V
类型：N沟道
输入电容：9160pF@15V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：14A€80A
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP5800
功率：242W
导通电阻：6mΩ@80A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：145nC@10V
类型：N沟道
输入电容：9160pF@15V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：14A€80A
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
