采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1838
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP13N06L
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：13.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@6.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7P20
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NJD35N04T4G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：45W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
特征频率：90MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NJD35N04T4G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：45W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
特征频率：90MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NJD35N04T4G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：45W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
特征频率：90MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NJD35N04T4G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：45W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
特征频率：90MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NJD35N04T4G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：45W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
特征频率：90MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NJD35N04T4G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：45W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
特征频率：90MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NJD35N04T4G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：45W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
特征频率：90MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NJD35N04T4G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：45W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
特征频率：90MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NJD35N04T4G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：45W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
特征频率：90MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7P20
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NJVNJD35N04T4G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：45W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
特征频率：90MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NJVNJD35N04T4G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：45W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
特征频率：90MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NJD35N04T4G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：45W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
特征频率：90MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NJD35N04G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：45W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
特征频率：90MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NJD35N04G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：45W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
特征频率：90MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NJVNJD35N04T4G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：45W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
特征频率：90MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1838
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP13N06L
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：13.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@6.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NJD35N04T4G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：45W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
特征频率：90MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NJD35N04T4G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：45W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
特征频率：90MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NJD35N04T4G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：45W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
特征频率：90MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7P20
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NJD35N04T4G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：45W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
特征频率：90MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7P20
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1838
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP13N06L
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：13.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@6.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NJD35N04G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：45W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
特征频率：90MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
