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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：7085，"09+"：2310，"10+"：2500，"11+"：31427}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4884NFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4184PFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4N01R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C250NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：11A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：1668，"10+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4N01R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4184PFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4184PFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：7085，"09+"：2310，"10+"：2500，"11+"：31427}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4884NFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4184PFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4184PFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C250NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：11A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4184PFR2G
导通电阻：95mΩ@3A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：4.2nC@4.5V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
功率：770mW
输入电容：360pF@10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C250NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：11A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4184PFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4884NFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4184PFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4884NFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4184PFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
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连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4184PFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4184PFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：1668，"10+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4N01R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4184PFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4184PFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：43500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C024NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：770mW
类型：1个N沟道
阈值电压：2.2V@250μA
连续漏极电流：11.9A
导通电阻：2.8mΩ@10V，30A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
