销售单位：个

规格型号(MPN)：ATP102-TL-H

工作温度：150℃

功率：40W

栅极电荷：34nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1490pF@10V

连续漏极电流：40A

类型：P沟道

导通电阻：18.5mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"12+"：2299，"13+"：2925，"15+"：2599，"19+"：18000，"20+"：9868，"9999"：2373}

销售单位：个

规格型号(MPN)：ATP202-TL-H

工作温度：150℃

功率：40W

ECCN：EAR99

栅极电荷：27nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1650pF@10V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：12mΩ@25A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：21000，"MI+"：2000}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDPF8N50NZU

工作温度：-55℃~150℃

功率：40W

阈值电压：5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：18nC@10V

包装方式：管件

输入电容：735pF@25V

连续漏极电流：6.5A

类型：N沟道

导通电阻：1.2Ω@4A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"08+"：872，"09+"：1001，"11+"：2373，"12+"：500，"14+"：2492，"18+"：200}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJE703G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.8V@40mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD681G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：6900，"MI+"：730}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCPF290N80

工作温度：-55℃~150℃

功率：40W

阈值电压：4.5V@1.7mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC@10V

包装方式：管件

输入电容：3205pF@100V

连续漏极电流：17A

类型：N沟道

导通电阻：290mΩ@8.5A，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD682G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"08+"：872，"09+"：1001，"11+"：2373，"12+"：500，"14+"：2492，"18+"：200}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJE703G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.8V@40mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCPF290N80

工作温度：-55℃~150℃

功率：40W

阈值电压：4.5V@1.7mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC@10V

包装方式：管件

输入电容：3205pF@100V

连续漏极电流：17A

类型：N沟道

导通电阻：290mΩ@8.5A，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：10412，"23+"：2500}

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6034G

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：6900，"MI+"：730}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCPF290N80

工作温度：-55℃~150℃

功率：40W

阈值电压：4.5V@1.7mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC@10V

包装方式：管件

输入电容：3205pF@100V

连续漏极电流：17A

类型：N沟道

导通电阻：290mΩ@8.5A，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"12+"：2299，"13+"：2925，"15+"：2599，"19+"：18000，"20+"：9868，"9999"：2373}

销售单位：个

规格型号(MPN)：ATP202-TL-H

工作温度：150℃

功率：40W

ECCN：EAR99

栅极电荷：27nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1650pF@10V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：12mΩ@25A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD681G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500μA

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@1.5A，30mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，1.5A

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：500，"18+"：2528，"19+"：277}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6038G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：6900，"MI+"：730}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCPF290N80

工作温度：-55℃~150℃

功率：40W

阈值电压：4.5V@1.7mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC@10V

包装方式：管件

输入电容：3205pF@100V

连续漏极电流：17A

类型：N沟道

导通电阻：290mΩ@8.5A，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD681G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：2850，"22+"：46000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：ATP202-TL-H

工作温度：150℃

功率：40W

ECCN：EAR99

栅极电荷：27nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1650pF@10V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：12mΩ@25A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6034G

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：1000，"22+"：8550}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6038G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：500，"18+"：2528，"19+"：277}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6038G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD680G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD681G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：10000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDD5N50TM-WS

工作温度：-55℃~150℃

功率：40W

阈值电压：5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：15nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：640pF@25V

连续漏极电流：4A

类型：N沟道

导通电阻：1.4Ω@2A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：21000，"MI+"：2000}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDPF8N50NZU

工作温度：-55℃~150℃

功率：40W

阈值电压：5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：18nC@10V

包装方式：管件

输入电容：735pF@25V

连续漏极电流：6.5A

类型：N沟道

导通电阻：1.2Ω@4A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：17301}

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSE800STU

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD679AS

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.8V@40mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：6000，"23+"：13997}

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6035G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：10000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDD5N50TM-WS

工作温度：-55℃~150℃

功率：40W

阈值电压：5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：15nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：640pF@25V

连续漏极电流：4A

类型：N沟道

导通电阻：1.4Ω@2A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"06+"：132，"13+"：500，"14+"：2040，"15+"：1000，"19+"：29，"9999"：202}

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6034G

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1