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品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：500μA
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@1.5A，30mA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，1.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：95mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：95mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V
栅极电荷：58nC
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：95mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V
栅极电荷：58nC
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：95mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V
栅极电荷：58nC
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：95mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：100μA
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.8V@2A，40mA
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：500μA
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@1.5A，30mA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，1.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：500μA
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@1.5A，30mA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，1.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V
栅极电荷：58nC
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：95mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：500μA
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@1.5A，30mA
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，1.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD681G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：500μA
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@1.5A，30mA
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，1.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：95mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V
栅极电荷：58nC
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：95mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H
导通电阻：95mΩ
漏源电压：650V
栅极电荷：58nC
阈值电压：4V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
