品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4503NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:1.5A
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:250pF@24V
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:1.6A
输入电容:140pF@5V
功率:420mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4503NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:1.5A
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:250pF@24V
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4503NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:1.5A
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:250pF@24V
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.6A
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
输入电容:140pF@5V
功率:420mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTR4503NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:1.5A
栅极电荷:7nC@10V
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
功率:420mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4503NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:1.5A
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:250pF@24V
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MVGSF1N03LT1G
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.6A
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
输入电容:140pF@5V
功率:420mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTR4503NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:1.5A
栅极电荷:7nC@10V
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
功率:420mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4503NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@24V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4503NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@24V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTR4503NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4503NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@24V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4503NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@24V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MVGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4503NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@24V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4503NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@24V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTR4503NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MVGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4503NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@24V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTR4503NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4503NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@24V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4503NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@24V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4503NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@24V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MVGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MVGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: