采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2470，"23+"：30}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2470，"23+"：30}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2470，"23+"：30}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2470，"23+"：30}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
