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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：246714，"09+"：1277，"10+"：20000，"11+"：37500，"14+"：2934，"17+"：5000，"18+"：2219，"23+"：2050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4807NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4807NR2G
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功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
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生产批次：{"08+"：246714，"09+"：1277，"10+"：20000，"11+"：37500，"14+"：2934，"17+"：5000，"18+"：2219，"23+"：2050}
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规格型号(MPN)：NTMS4807NR2G
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功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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功率：860mW
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栅极电荷：24nC@4.5V
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输入电容：2900pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@24V
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类型：N沟道
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功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
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类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@14.8A，10V
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