采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB070AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP070AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP070AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
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规格型号(MPN)：FDP070AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
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规格型号(MPN)：FDP070AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJ11021G
集射极击穿电压(Vceo)：250V
集电极电流(Ic)：15A
功率：175W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：65℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3.4V@150mA，15A
包装方式：托盘
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJ11021G
集射极击穿电压(Vceo)：250V
集电极电流(Ic)：15A
功率：175W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：65℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3.4V@150mA，15A
ECCN：EAR99
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晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：MJ11021G
集射极击穿电压(Vceo)：250V
集电极电流(Ic)：15A
功率：175W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：65℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3.4V@150mA，15A
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晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V
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规格型号(MPN)：FDB070AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
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功率：175W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@80A，10V
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集电极电流(Ic)：15A
功率：175W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：65℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3.4V@150mA，15A
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晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V
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功率：175W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：FDB070AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP070AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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