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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€26W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：NVTFS4C13NWFTWG
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输入电容：770pF@15V
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