品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH040N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@6.5mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4740pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH040N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@6.5mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4740pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH47N60-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8000F@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA47N60-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8000pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4000,"23+":1600,"MI+":800}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP61N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP61N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH040N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@6.5mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4740pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1265}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCHD040N65S3-F155
工作温度:-55℃~+150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
输入电容:4.74nF@400V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH47N60-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8000F@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP61N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP61N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1265}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCHD040N65S3-F155
工作温度:-55℃~+150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
输入电容:4.74nF@400V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
输入电容:3.38nF@25V
连续漏极电流:61A
类型:1个N沟道
导通电阻:41mΩ@10V,30.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCHD040N65S3-F155
工作温度:-55℃~+150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@1.7mA
栅极电荷:136nC@10V
输入电容:4.74nF@400V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH47N60-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8000F@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP61N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH47N60-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8000F@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH040N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@6.5mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4740pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA47N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8000pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH040N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@6.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4740pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP61N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH47N60F-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8000pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH040N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@6.5mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4740pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH040N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@6.5mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4740pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1265}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCHD040N65S3-F155
工作温度:-55℃~+150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
输入电容:4.74nF@400V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH040N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@6.5mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4740pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH040N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@6.5mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4740pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH040N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@6.5mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4740pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP61N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH47N60-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8000F@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: